SG01M-5Lens SiC UV Фотодиод

SiC UV Photodiode SG01M-5LENS

Концентраторный линз SiC на основе УФ-фотодиода Avirtual = 11.0 мм2

◆  SG01M-5LENS Общие характеристики SiC УФ-фотодиода

Свойства SiC УФ-фотодиода SG01M-5LENS 
? Широкополосный UVA+UVB+UVC, PTB сообщает о высокой стабильности чипа для очень слабого излучения
? Чувствительная к излучению область A = 11.0 мм2
? Герметически закрытый металлический корпус TO5 с концентраторным линзом, 1 изолированный вывод и 1 вывод корпуса
? Пиковое излучение 10 мкВт/см2 вызывает ток около 140 нА

О материале карбид кремния (SiC)
SiC обладает уникальным свойством крайне высокой радиационной стойкости, практически полной слепотой для видимого света, низким темновым током, высокой скоростью и низким уровнем шума. Эти характеристики делают SiC самым подходящим материалом для полупроводниковых УФ-детекторов, нечувствительных к видимому свету. Детекторы на основе SiC могут работать постоянно при температурах до 170°C (338°F). Температурный коэффициент сигнала (чувствительность) также низкий.<0.1%/K. Because of the  low noise (dark current  in the fA range), very  low UV radiation intensities can be measured reliably. 

Options 
SiC photodiodes are available with seven different active chip areas from 0.06 mm2 up to 36 mm2 Standard version is broadband UVA-UVB-UVC. Four fltered versions lead to a tighter sensitivity range. All photodiodes have a hermetically sealed metal housing (TO type), either a 5.5 mm diameter TO18 housing or a 9.2 mm TO5 housing. Further option is either a 2 pin header (1 isolated, 1 grounded) or a 3 pin header (2 isolated, 1 grounded). 

◆ SG01M-5LENS SiC UV Photodiode Nomenclature

◆ SG01M-5LENS SiC UV Photodiode Specifications